2月12日，三星电子发布声明宣布，已启动第六代高带宽内存（HBM）芯片HBM4的大规模量产，并已向客户交付商用产品。

　　在制造工艺上，三星此次采用了1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，基板芯片则采用4纳米逻辑制程。三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人Sang Joon Hwang表示："三星未沿用传统的成熟设计，而是大胆采用了最先进的制程工艺。"

　　性能参数方面，三星HBM4的数据处理速度达到每秒11.7 Gbps，超出联合电子器件工程委员会（JEDEC）规定的8 Gbps标准约46%，较上一代HBM3E最高9.6 Gbps的引脚速度提升约22%。单堆栈总内存带宽最高可达每秒3.3 TB，较HBM3E提升2.7倍。在能效与散热方面，HBM4相比前代产品功耗效率提升40%，散热能力提高30%。

　　据三星电子首席技术官Song Jai-hyuk透露，HBM4的生产良率"现状非常好"，客户对芯片性能"非常满意"。

　　根据此前报道，英伟达预计将在3月16日至19日举行的GTC 2026大会上，展示搭载三星HBM4的下一代人工智能计算平台Vera Rubin。三星虽未公布具体客户名称，但该产品已被确认用于英伟达下一代AI平台。

　　在后续产品规划上，三星表示HBM4E样品预计于2026年下半年开始提供，定制版HBM样品将于2027年根据客户规格陆续交付。三星电子预计，2026年HBM产品销售规模将较2025年增长三倍以上，并正积极扩充HBM4产能。

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　　本文源自：市场资讯

　　作者：观察君